0 0 0
  8. FDS6680A

Транзисторы с каналом N SMD FDS6680A

 
FDS6680A
 
ONSEMI
Артикул: 076084
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.09 грн
10+
50.72 грн
26+
38.90 грн
72+
36.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2499 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12,5А(1441293)
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,136 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS6680A
ONSEMI
Артикул: 076084
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.09 грн
10+
50.72 грн
26+
38.90 грн
72+
36.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2499 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12,5А
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,136 g