0 0 0
  8. FDS6699S

Транзисторы с каналом N SMD FDS6699S

 
FDS6699S
 
ONSEMI
Артикул: 076087
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
59.54 грн
19+
53.18 грн
52+
50.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
3,1Ом(1502517)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
91нC(1479344)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS6699S
ONSEMI
Артикул: 076087
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
59.54 грн
19+
53.18 грн
52+
50.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
3,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
91нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g