0 0 0
  1. Главная
  2. Продукция
  3. Полупроводники
  4. Транзисторы
  5. Транзисторы униполярные
  6. Транзисторы многоканальные
  7. FDS6875

Транзисторы многоканальные FDS6875

 
FDS6875
 
ONSEMI
Артикул: 000250
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -6А; 1,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.11 грн
5+
76.96 грн
20+
62.14 грн
25+
62.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
48мОм(1441527)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,116 g
 
Транзисторы многоканальные FDS6875
Транзисторы многоканальные FDS6875
ONSEMI
Артикул: 000250
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -6А; 1,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.11 грн
5+
76.96 грн
20+
62.14 грн
25+
62.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
48мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,116 g