0 0 0
  7. FDS6911

Транзисторы многоканальные FDS6911

 
FDS6911
 
ONSEMI
Артикул: 532707
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 20А; 1,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.30 грн
5+
77.03 грн
17+
58.77 грн
46+
55.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
7,5А(1441286)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDS6911
ONSEMI
Артикул: 532707
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 20А; 1,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.30 грн
5+
77.03 грн
17+
58.77 грн
46+
55.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
7,5А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
24нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g