0 0 0
  7. FDS6930B

Транзисторы многоканальные FDS6930B

 
FDS6930B
 
ONSEMI
Артикул: 000255
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,5А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
35.64 грн
25+
33.86 грн
39+
25.03 грн
106+
23.63 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2434 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
5,5А(1492307)
Сопротивление в открытом состоянии
62мОм(1441261)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,8нC(1629831)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,106 g
 
Транзисторы многоканальные FDS6930B
ONSEMI
Артикул: 000255
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,5А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
35.64 грн
25+
33.86 грн
39+
25.03 грн
106+
23.63 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2434 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
62мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,8нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,106 g