0 0 0
  8. FDS8870

Транзисторы с каналом N SMD FDS8870

 
FDS8870
 
ONSEMI
Артикул: 076092
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.96 грн
18+
55.64 грн
49+
52.55 грн
500+
51.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
18А(1479247)
Сопротивление в открытом состоянии
7,2мОм(1479269)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
112нC(1633314)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,109 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS8870
ONSEMI
Артикул: 076092
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.96 грн
18+
55.64 грн
49+
52.55 грн
500+
51.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
18А
Сопротивление в открытом состоянии
7,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
112нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,109 g