0 0 0
  8. FDS8876

Транзисторы с каналом N SMD FDS8876

 
FDS8876
 
ONSEMI
Артикул: 532709
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 91А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
33.85 грн
25+
29.88 грн
38+
26.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12,5А(1441293)
Сопротивление в открытом состоянии
14,1мОм(1898313)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
91А(1823218)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS8876
ONSEMI
Артикул: 532709
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 91А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
33.85 грн
25+
29.88 грн
38+
26.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12,5А
Сопротивление в открытом состоянии
14,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
91А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g