0 0 0
  8. FDS8880

Транзисторы с каналом N SMD FDS8880

 
FDS8880
 
ONSEMI
Артикул: 076093
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
43.10 грн
25+
38.42 грн
35+
29.61 грн
94+
28.02 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 477 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
11,6А(1441580)
Сопротивление в открытом состоянии
16,3мОм(1632970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,103 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS8880
ONSEMI
Артикул: 076093
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
43.10 грн
25+
38.42 грн
35+
29.61 грн
94+
28.02 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 477 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
11,6А
Сопротивление в открытом состоянии
16,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,103 g