0 0 0
  8. FDS8896

Транзисторы с каналом N SMD FDS8896

 
FDS8896
 
ONSEMI
Артикул: 600705
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 110А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
38.72 грн
25+
34.66 грн
34+
30.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
6мОм(1441530)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
67нC(1643344)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
110А(1758590)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS8896
ONSEMI
Артикул: 600705
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 110А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
38.72 грн
25+
34.66 грн
34+
30.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
67нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
110А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g