Транзисторы многоканальные FDS89141

 
FDS89141
 
Артикул: 000259
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
227.22 грн
3+
200.17 грн
7+
148.39 грн
19+
140.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2086 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
3,5А(1441257)
Сопротивление в открытом состоянии
0,107Ом(1790170)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
31Вт(1741805)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,1нC(1609904)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,11 g
 
Транзисторы многоканальные FDS89141
ONSEMI
Артикул: 000259
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
227.22 грн
3+
200.17 грн
7+
148.39 грн
19+
140.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2086 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,107Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
31Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,1нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,11 g