Транзисторы многоканальные FDS89161

 
FDS89161
 
Артикул: 000260
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
101.51 грн
5+
91.44 грн
13+
78.26 грн
34+
74.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2348 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
176мОм(1713746)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
31Вт(1741805)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,1нC(1633292)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,113 g
 
Транзисторы многоканальные FDS89161
ONSEMI
Артикул: 000260
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
101.51 грн
5+
91.44 грн
13+
78.26 грн
34+
74.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2348 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
176мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
31Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,1нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,113 g