Транзисторы многоканальные FDS8949

 
FDS8949
 
Артикул: 000262
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
123.98 грн
5+
65.56 грн
20+
49.59 грн
25+
48.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 432 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,141 g
 
Транзисторы многоканальные FDS8949
ONSEMI
Артикул: 000262
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
123.98 грн
5+
65.56 грн
20+
49.59 грн
25+
48.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 432 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,141 g