0 0 0
  8. FDV303N

Транзисторы с каналом N SMD FDV303N

 
FDV303N
 
ONSEMI
Артикул: 076099
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,68А; 0,35Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.58 грн
10+
20.80 грн
50+
13.81 грн
100+
11.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 489 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
0,68А(1632952)
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
2,3нC(1479230)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDV303N
ONSEMI
Артикул: 076099
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,68А; 0,35Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.58 грн
10+
20.80 грн
50+
13.81 грн
100+
11.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 489 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
0,68А
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
2,3нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g