0 0 0
  8. FDWS9509L-F085

Транзисторы с каналом P SMD FDWS9509L-F085

 
FDWS9509L-F085
 
ONSEMI
Артикул: 526655
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -65А; 107Вт; DFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.05 грн
5+
85.73 грн
14+
72.24 грн
39+
68.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN8(1443828)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-65А(1588747)
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм(1479176)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
107Вт(1708595)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
67нC(1643344)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDWS9509L-F085
ONSEMI
Артикул: 526655
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -65А; 107Вт; DFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.05 грн
5+
85.73 грн
14+
72.24 грн
39+
68.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN8
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-65А
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
107Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
67нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g