0 0 0
  8. FGH40N60UFDTU

Транзисторы IGBT THT FGH40N60UFDTU

 
FGH40N60UFDTU
 
ONSEMI
Артикул: 220709
Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 116Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
363.20 грн
3+
326.65 грн
4+
251.21 грн
11+
237.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
116Вт(1741758)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,987 g
 
Транзисторы IGBT THT FGH40N60UFDTU
ONSEMI
Артикул: 220709
Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 116Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
363.20 грн
3+
326.65 грн
4+
251.21 грн
11+
237.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
120А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
116Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,12мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,987 g