0 0 0
  8. FQA13N50C-F109

Транзисторы с каналом N THT FQA13N50C-F109

 
FQA13N50C-F109
 
ONSEMI
Артикул: 524838
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8,5А; Idm: 54А; 218Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
231.29 грн
5+
207.44 грн
6+
165.18 грн
17+
156.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
8,5А(1479174)
Сопротивление в открытом состоянии
0,48Ом(1737210)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
218Вт(1888000)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
54А(1742463)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQA13N50C-F109
ONSEMI
Артикул: 524838
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8,5А; Idm: 54А; 218Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
231.29 грн
5+
207.44 грн
6+
165.18 грн
17+
156.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
8,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,48Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
218Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
56нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
54А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g