0 0 0
  8. FQB11P06TM

Транзисторы с каналом P SMD FQB11P06TM

 
FQB11P06TM
 
ONSEMI
Артикул: 526656
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,05А; Idm: -45,6А; 53Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.08 грн
5+
83.35 грн
16+
66.68 грн
42+
62.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-8,05А(1888049)
Сопротивление в открытом состоянии
0,175Ом(1758420)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
53Вт(1740746)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-45,6А(1888050)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FQB11P06TM
ONSEMI
Артикул: 526656
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,05А; Idm: -45,6А; 53Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.08 грн
5+
83.35 грн
16+
66.68 грн
42+
62.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-8,05А
Сопротивление в открытом состоянии
0,175Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
53Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-45,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g