0 0 0
  8. FQB12P20TM

Транзисторы с каналом P SMD FQB12P20TM

 
FQB12P20TM
 
ONSEMI
Артикул: 1170350
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -7,27А; 120Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
134.00 грн
5+
119.73 грн
11+
91.98 грн
30+
87.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
-200В(1441458)
Ток стока
-7,27А(1643126)
Сопротивление в открытом состоянии
470мОм(1634374)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
120Вт(1666572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FQB12P20TM
ONSEMI
Артикул: 1170350
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -7,27А; 120Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
134.00 грн
5+
119.73 грн
11+
91.98 грн
30+
87.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
-200В
Ток стока
-7,27А
Сопротивление в открытом состоянии
470мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
120Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
40нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g