0 0 0
  8. FQB19N20CTM

Транзисторы с каналом N SMD FQB19N20CTM

 
FQB19N20CTM
 
ONSEMI
Артикул: 524558
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,1А; Idm: 76А; 139Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
98.77 грн
5+
89.22 грн
14+
71.69 грн
39+
67.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
12,1А(1599139)
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
139Вт(1741802)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
53нC(1479049)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
76А(1801381)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQB19N20CTM
ONSEMI
Артикул: 524558
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,1А; Idm: 76А; 139Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
98.77 грн
5+
89.22 грн
14+
71.69 грн
39+
67.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
12,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
139Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
53нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
76А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g