0 0 0
  8. FQB19N20LTM

Транзисторы с каналом N SMD FQB19N20LTM

 
FQB19N20LTM
 
ONSEMI
Артикул: 076103
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.38 грн
5+
102.50 грн
13+
78.43 грн
35+
73.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 106 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
13,3А(1492320)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
140Вт(1740827)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
84А(1758593)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,7 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQB19N20LTM
ONSEMI
Артикул: 076103
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.38 грн
5+
102.50 грн
13+
78.43 грн
35+
73.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 106 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
13,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
140Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
35нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
84А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,7 g