0 0 0
  8. FQB19N20TM

Транзисторы с каналом N SMD FQB19N20TM

 
FQB19N20TM
 
ONSEMI
Артикул: 524559
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,3А; Idm: 78А; 140Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
127.66 грн
5+
114.18 грн
11+
91.18 грн
30+
85.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
12,3А(1628416)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
140Вт(1740827)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
78А(1785360)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQB19N20TM
ONSEMI
Артикул: 524559
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,3А; Idm: 78А; 140Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
127.66 грн
5+
114.18 грн
11+
91.18 грн
30+
85.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
12,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
140Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
40нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
78А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g