0 0 0
  8. FQB33N10TM

Транзисторы с каналом N SMD FQB33N10TM

 
FQB33N10TM
 
ONSEMI
Артикул: 076104
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.56 грн
5+
76.71 грн
17+
59.67 грн
45+
56.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
127Вт(1741937)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,642 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQB33N10TM
ONSEMI
Артикул: 076104
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.56 грн
5+
76.71 грн
17+
59.67 грн
45+
56.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
127Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
51нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,642 g