0 0 0
  8. FQB55N10TM

Транзисторы с каналом N SMD FQB55N10TM

 
FQB55N10TM
 
ONSEMI
Артикул: 1095473
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
156.89 грн
5+
142.98 грн
10+
108.97 грн
25+
102.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 800 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
38,9А(1634345)
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм(1479163)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
155Вт(1741894)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
98нC(1632637)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,697 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQB55N10TM
ONSEMI
Артикул: 1095473
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
156.89 грн
5+
142.98 грн
10+
108.97 грн
25+
102.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 800 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
38,9А
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
155Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
98нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,697 g