0 0 0
  8. FQB5N90TM

Транзисторы с каналом N SMD FQB5N90TM

 
FQB5N90TM
 
ONSEMI
Артикул: 076108
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,42А; 158Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.46 грн
5+
179.38 грн
8+
138.23 грн
20+
131.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 778 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
3,42А(1634366)
Сопротивление в открытом состоянии
2,3Ом(1441601)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
158Вт(1741979)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,833 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQB5N90TM
ONSEMI
Артикул: 076108
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,42А; 158Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.46 грн
5+
179.38 грн
8+
138.23 грн
20+
131.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 778 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
3,42А
Сопротивление в открытом состоянии
2,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
158Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
40нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,833 g