0 0 0
  8. FQB8N60CTM

Транзисторы с каналом N SMD FQB8N60CTM

 
FQB8N60CTM
 
ONSEMI
Артикул: 524567
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
123.69 грн
5+
110.21 грн
12+
88.80 грн
31+
84.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
4,6А(1479139)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
147Вт(1741770)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQB8N60CTM
ONSEMI
Артикул: 524567
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
123.69 грн
5+
110.21 грн
12+
88.80 грн
31+
84.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
4,6А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
147Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g