0 0 0
  8. FQD10N20CTM

Транзисторы с каналом N SMD FQD10N20CTM

 
FQD10N20CTM
 
ONSEMI
Артикул: 076110
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.98 грн
5+
32.27 грн
25+
26.01 грн
43+
22.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
26нC(1479074)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD10N20CTM
ONSEMI
Артикул: 076110
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.98 грн
5+
32.27 грн
25+
26.01 грн
43+
22.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
26нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g