0 0 0
  8. FQD12N20LTM-F085

Транзисторы с каналом N SMD FQD12N20LTM-F085

 
FQD12N20LTM-F085
 
ONSEMI
Артикул: 524570
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 55Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.92 грн
5+
62.93 грн
20+
50.21 грн
25+
50.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
5,7А(1441269)
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
55Вт(1701954)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD12N20LTM-F085
ONSEMI
Артикул: 524570
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 55Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.92 грн
5+
62.93 грн
20+
50.21 грн
25+
50.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
5,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
55Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g