0 0 0
  8. FQD13N06LTM

Транзисторы с каналом N SMD FQD13N06LTM

 
FQD13N06LTM
 
ONSEMI
Артикул: 076113
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7А; 28Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
35.43 грн
25+
31.55 грн
39+
24.81 грн
107+
23.49 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2357 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
7А(1441285)
Сопротивление в открытом состоянии
0,145Ом(1743039)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
28Вт(1520807)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,4нC(1634340)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,377 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD13N06LTM
ONSEMI
Артикул: 076113
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7А; 28Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
35.43 грн
25+
31.55 грн
39+
24.81 грн
107+
23.49 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2357 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,145Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
28Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,4нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,377 g