0 0 0
  8. FQD13N10LTM

Транзисторы с каналом N SMD FQD13N10LTM

 
FQD13N10LTM
 
ONSEMI
Артикул: 076114
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,3А; 40Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
37.99 грн
25+
33.26 грн
40+
24.11 грн
110+
22.79 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
6,3А(1479155)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,377 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD13N10LTM
ONSEMI
Артикул: 076114
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,3А; 40Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
37.99 грн
25+
33.26 грн
40+
24.11 грн
110+
22.79 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
6,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,377 g