0 0 0
  8. FQD18N20V2TM

Транзисторы с каналом N SMD FQD18N20V2TM

 
FQD18N20V2TM
 
ONSEMI
Артикул: 076117
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.58 грн
5+
60.21 грн
18+
54.03 грн
50+
50.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
9,75А(1634353)
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом(1702961)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
26нC(1479074)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,355 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD18N20V2TM
ONSEMI
Артикул: 076117
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.58 грн
5+
60.21 грн
18+
54.03 грн
50+
50.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
9,75А
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
26нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,355 g