0 0 0
  8. FQD2N90TM

Транзисторы с каналом N SMD FQD2N90TM

 
FQD2N90TM
 
ONSEMI
Артикул: 524576
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,08А; Idm: 6,8А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.47 грн
5+
65.33 грн
19+
52.58 грн
52+
49.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
1,08А(1888015)
Сопротивление в открытом состоянии
7,2Ом(1609658)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6,8А(1888016)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD2N90TM
ONSEMI
Артикул: 524576
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,08А; Idm: 6,8А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.47 грн
5+
65.33 грн
19+
52.58 грн
52+
49.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
1,08А
Сопротивление в открытом состоянии
7,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g