0 0 0
  8. FQD3P50TM-F085

Транзисторы с каналом P SMD FQD3P50TM-F085

 
FQD3P50TM-F085
 
ONSEMI
Артикул: 526663
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; Idm: -8,4А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
84.14 грн
5+
75.41 грн
16+
63.50 грн
44+
59.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
-500В(1492282)
Ток стока
-1,33А(1643134)
Сопротивление в открытом состоянии
4,9Ом(1634378)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-8,4А(1888055)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FQD3P50TM-F085
ONSEMI
Артикул: 526663
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -1,33А; Idm: -8,4А; 50Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
84.14 грн
5+
75.41 грн
16+
63.50 грн
44+
59.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
-500В
Ток стока
-1,33А
Сопротивление в открытом состоянии
4,9Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-8,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g