0 0 0
  8. FQD4N25TM-WS

Транзисторы с каналом N SMD FQD4N25TM-WS

 
FQD4N25TM-WS
 
ONSEMI
Артикул: 524580
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,9А; Idm: 12А; 37Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.59 грн
5+
45.45 грн
25+
34.32 грн
36+
27.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
1,9А(1479102)
Сопротивление в открытом состоянии
1,75Ом(1744086)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
37Вт(1740770)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,6нC(1609796)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD4N25TM-WS
ONSEMI
Артикул: 524580
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,9А; Idm: 12А; 37Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.59 грн
5+
45.45 грн
25+
34.32 грн
36+
27.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
1,9А
Сопротивление в открытом состоянии
1,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
37Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g