0 0 0
  8. FQD5N15TM

Транзисторы с каналом N SMD FQD5N15TM

 
FQD5N15TM
 
ONSEMI
Артикул: 532711
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 2,72А; Idm: 17,2А; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
32.02 грн
25+
29.40 грн
45+
22.49 грн
124+
21.29 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
2,72А(1898268)
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7нC(1479104)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
17,2А(1888040)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD5N15TM
ONSEMI
Артикул: 532711
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 2,72А; Idm: 17,2А; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
32.02 грн
25+
29.40 грн
45+
22.49 грн
124+
21.29 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
2,72А
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
17,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g