0 0 0
  8. FQD6N25TM

Транзисторы с каналом N SMD FQD6N25TM

 
FQD6N25TM
 
ONSEMI
Артикул: 516812
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 2,6А; Idm: 17,6А; 45Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
71.44 грн
5+
39.85 грн
25+
35.80 грн
37+
27.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
45Вт(1607948)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,5нC(1479414)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
17,6А(1880637)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD6N25TM
ONSEMI
Артикул: 516812
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 2,6А; Idm: 17,6А; 45Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
71.44 грн
5+
39.85 грн
25+
35.80 грн
37+
27.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
45Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
17,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g