Транзисторы с каналом N SMD FQD6N40CTM

 
FQD6N40CTM
 
Артикул: 076123
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
108.53 грн
5+
67.44 грн
19+
51.16 грн
52+
48.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
400В(1441321)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
48Вт(1699155)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,376 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQD6N40CTM
ONSEMI
Артикул: 076123
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
108.53 грн
5+
67.44 грн
19+
51.16 грн
52+
48.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
400В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,376 g