Транзисторы с каналом P SMD FQD7P20TM

 
FQD7P20TM
 
Артикул: 140709
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.19 грн
5+
65.95 грн
21+
49.26 грн
56+
46.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
-200В(1441458)
Ток стока
-3,6А(1479071)
Сопротивление в открытом состоянии
0,69Ом(1638674)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
55Вт(1701954)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,408 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FQD7P20TM
ONSEMI
Артикул: 140709
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.19 грн
5+
65.95 грн
21+
49.26 грн
56+
46.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
-200В
Ток стока
-3,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,69Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
55Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,408 g