0 0 0
  8. FQNL2N50BTA

Транзисторы с каналом N THT FQNL2N50BTA

 
FQNL2N50BTA
 
ONSEMI
Артикул: 532745
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 220мА; Idm: 1,4А; 1,5Вт; TO92L
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.38 грн
10+
21.36 грн
58+
16.92 грн
159+
16.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO92L(1492084)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
0,22А(1632940)
Сопротивление в открытом состоянии
5,3Ом(1642920)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
Ammo Pack(1601733)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,4А(1825437)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQNL2N50BTA
ONSEMI
Артикул: 532745
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 220мА; Idm: 1,4А; 1,5Вт; TO92L
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.38 грн
10+
21.36 грн
58+
16.92 грн
159+
16.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO92L
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
0,22А
Сопротивление в открытом состоянии
5,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
Ammo Pack
Заряд затвора
8нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g