0 0 0
  8. FQP12P10

Транзисторы с каналом P THT FQP12P10

 
FQP12P10
 
ONSEMI
Артикул: 1169111
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,1А; Idm: -46А; 75Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.93 грн
3+
86.60 грн
10+
76.27 грн
15+
69.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-8,1А(1501044)
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
75Вт(1701926)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-46А(1888057)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом P THT FQP12P10
ONSEMI
Артикул: 1169111
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,1А; Idm: -46А; 75Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.93 грн
3+
86.60 грн
10+
76.27 грн
15+
69.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-8,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
75Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
27нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-46А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g