0 0 0
  8. FQP17P06

Транзисторы с каналом P THT FQP17P06

 
FQP17P06
 
ONSEMI
Артикул: 1169114
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -12А; 79Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
130.30 грн
3+
117.59 грн
10+
104.08 грн
11+
90.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-12А(1479010)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
79Вт(1740747)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,05 g
 
Транзисторы с каналом P THT FQP17P06
ONSEMI
Артикул: 1169114
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -12А; 79Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
130.30 грн
3+
117.59 грн
10+
104.08 грн
11+
90.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-12А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
79Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
27нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,05 g