0 0 0
  8. FQP2N40-F080

Транзисторы с каналом N THT FQP2N40-F080

 
FQP2N40-F080
 
ONSEMI
Артикул: 524879
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,14А; Idm: 7,2А; 40Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.97 грн
3+
67.79 грн
10+
60.61 грн
19+
53.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
400В(1441321)
Ток стока
1,14А(1634361)
Сопротивление в открытом состоянии
5,8Ом(1805203)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
5,5нC(1609920)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
7,2А(1811005)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP2N40-F080
ONSEMI
Артикул: 524879
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,14А; Idm: 7,2А; 40Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.97 грн
3+
67.79 грн
10+
60.61 грн
19+
53.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
400В
Ток стока
1,14А
Сопротивление в открытом состоянии
5,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
5,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
7,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g