0 0 0
  8. FQP2N80

Транзисторы с каналом N THT FQP2N80

 
FQP2N80
 
ONSEMI
Артикул: 524880
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,52А; Idm: 9,6А; 85Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.52 грн
3+
82.94 грн
10+
72.58 грн
16+
64.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
1,52А(1888030)
Сопротивление в открытом состоянии
6,3Ом(1638796)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
85Вт(1618986)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9,6А(1759124)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP2N80
ONSEMI
Артикул: 524880
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,52А; Idm: 9,6А; 85Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.52 грн
3+
82.94 грн
10+
72.58 грн
16+
64.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
1,52А
Сопротивление в открытом состоянии
6,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
85Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
15нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g