0 0 0
  8. FQP32N20C

Транзисторы с каналом N THT FQP32N20C

 
FQP32N20C
 
ONSEMI
Артикул: 078157
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 17,8А; 156Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.51 грн
3+
96.40 грн
10+
85.52 грн
13+
78.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 12 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
17,8А(1634354)
Сопротивление в открытом состоянии
82мОм(1479274)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,04 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP32N20C
ONSEMI
Артикул: 078157
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 17,8А; 156Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.51 грн
3+
96.40 грн
10+
85.52 грн
13+
78.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 12 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
17,8А
Сопротивление в открытом состоянии
82мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,04 g