0 0 0
  8. FQP3N50C-F080

Транзисторы с каналом N THT FQP3N50C-F080

 
FQP3N50C-F080
 
ONSEMI
Артикул: 524883
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,8А; Idm: 12А; 62Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
84.45 грн
3+
77.28 грн
10+
67.72 грн
17+
59.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
1,8А(1492260)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
62Вт(1708587)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP3N50C-F080
ONSEMI
Артикул: 524883
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,8А; Idm: 12А; 62Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
84.45 грн
3+
77.28 грн
10+
67.72 грн
17+
59.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
62Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
13нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g