0 0 0
  8. FQP3N60C

Транзисторы с каналом N THT FQP3N60C

 
FQP3N60C
 
ONSEMI
Артикул: 524884
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; Idm: 12А; 75Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.56 грн
3+
74.62 грн
10+
65.09 грн
18+
59.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
1,8А(1492260)
Сопротивление в открытом состоянии
3,4Ом(1638688)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
75Вт(1701926)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
14нC(1479029)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP3N60C
ONSEMI
Артикул: 524884
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; Idm: 12А; 75Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.56 грн
3+
74.62 грн
10+
65.09 грн
18+
59.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
3,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
75Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
14нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g