0 0 0
  8. FQP4N80

Транзисторы с каналом N THT FQP4N80

 
FQP4N80
 
ONSEMI
Артикул: 524888
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
117.63 грн
3+
106.50 грн
10+
94.58 грн
12+
85.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 33 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
2,47А(1805236)
Сопротивление в открытом состоянии
3,6Ом(1492334)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
15,6А(1888022)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP4N80
ONSEMI
Артикул: 524888
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
117.63 грн
3+
106.50 грн
10+
94.58 грн
12+
85.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 33 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
2,47А
Сопротивление в открытом состоянии
3,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
25нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
15,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g