0 0 0
  8. FQP6N80C

Транзисторы с каналом N THT FQP6N80C

 
FQP6N80C
 
ONSEMI
Артикул: 078162
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; 158Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
164.82 грн
10+
107.29 грн
26+
101.07 грн
500+
97.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 267 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
3,2А(1492373)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
158Вт(1741979)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,005 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP6N80C
ONSEMI
Артикул: 078162
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; 158Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
164.82 грн
10+
107.29 грн
26+
101.07 грн
500+
97.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 267 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
3,2А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
158Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
30нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,005 g