0 0 0
  8. FQP8N80C

Транзисторы с каналом N THT FQP8N80C

 
FQP8N80C
 
ONSEMI
Артикул: 524896
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,1А; Idm: 32А; 178Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
221.15 грн
7+
147.96 грн
19+
139.30 грн
250+
135.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
5,1А(1479146)
Сопротивление в открытом состоянии
1,55Ом(1634365)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
178Вт(1507588)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP8N80C
ONSEMI
Артикул: 524896
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,1А; Idm: 32А; 178Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
221.15 грн
7+
147.96 грн
19+
139.30 грн
250+
135.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
5,1А
Сопротивление в открытом состоянии
1,55Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
178Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
45нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g