0 0 0
  8. FQP9N90C

Транзисторы с каналом N THT FQP9N90C

 
FQP9N90C
 
ONSEMI
Артикул: 078166
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,8А; 205Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
278.23 грн
3+
250.40 грн
6+
196.30 грн
14+
185.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
2,8А(1602409)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
205Вт(1742125)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
58нC(1478954)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,047 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQP9N90C
ONSEMI
Артикул: 078166
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,8А; 205Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
278.23 грн
3+
250.40 грн
6+
196.30 грн
14+
185.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
2,8А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
205Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
58нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,047 g