0 0 0
  8. FQT13N06LTF

Транзисторы с каналом N SMD FQT13N06LTF

 
FQT13N06LTF
 
ONSEMI
Артикул: 516813
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,24А; Idm: 11,2А; 2,1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.96 грн
5+
33.69 грн
25+
30.22 грн
43+
23.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
2,24А(1880638)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,4нC(1634340)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
11,2А(1880639)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FQT13N06LTF
ONSEMI
Артикул: 516813
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,24А; Idm: 11,2А; 2,1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.96 грн
5+
33.69 грн
25+
30.22 грн
43+
23.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
2,24А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
11,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g